قطاع التناسب

عندما نستمر في زيادة فرق الجهد عن V₂ فإن الإيونات المتحركة نحو الإلكترودين تكتسب طاقة حركة كبيرة تزداد بزيادة فرق الجهد. وقد تصل هنا سرعة الإلكترونات إلى 10⁷ سم/ ت. وعندما تتجه هذه الإلكترونات نحو المصعد تصادف في طريقها جزيئات الغاز فتتصادم معها وتسبب إثارتها وعند زيادة الجهد أكبر من سابقه تصبح هذه الإلكترونات قادرة على تأيين الجزيئات أيضاً، ومن ثم تنطلق تبعاً لذلك الكترونات ثانوية Secondry Electrons حيث تمكن هذه الأخيرة من إثارة وتأيين جزيئات غازية أخرى. وهكذا. . . وينتج تبعاً لذلك ظاهرة التكبير الغازي. وفي الواقع يتم ذلك بالقرب من المصعد وذلك لأن المجال الكهربي بالقرب منه يكون كبيراً جداً بحيث تتمكن الإلكترونات الابتدائية من إنتاج الإلكترونات الثانوية التي تمتلك طاقة حركة كبيرة قادرة على تأيين جزيئات أخرى وإنتاج شلال من الإلكترونات في نهاية الأمر. حيث يتجه هذا الشلال نحو المصعد.

وهذا يعني أن أي الكترون ابتدائي (ناتج من تأيين الإشعاع للغاز) سوف ينتج عنه شلال من الإلكترونات الثانوية. ولكن يظل عدد هذه الإيونات الثانوية الناتجة متناسب تماماً مع عدد الإيونات الابتدائية الناتجة أساساً عن الإشعاع والتي تعتمد على طاقة الإشعاع الساقط. في هذا القطاع يسمح بمضاعفة عدد الإيونات الناتج آلاف المرات ولكن هذه الأعداد تظل متناسبة مع عدد الإيونات الأصلي (الابتدائي). هذا القطاع هو قطاع التناسب عندما يتراوح فرق الجهد بين V₂ و V₃، حيث نجد هنا أن عدد الشحنات المتجمعة على الإلكترودين وبالتالي سعة النبضات التي تغذي الإلكترونيات المرافقة للكاشفات ستتناسب مع طاقة الإشعاع الممتص.

يبلغ فرق الجهد هنا حوالى 500 فولت (حسب نوع الغاز المستخدم وإبعاد الكاشف) وحيث أن الشلال الناتج في الكاشف يتوقف تماماً عندما تصل الشحنات إلى المصعد فإن زمن صعود النبضة Rise Time في الدائرة الخارجية يتوقف على كل من: أ) زمن وصول الإلكترون الابتدائي إلى المصعد والذي يتراوح بين 0.2 إلى 0.5 ميكروثانية. ب) الدائرة الإلكترونية الخارجية.