التهجين بمدارات d

ان مخططات التهجين المتضمنة مدارات d ممكنة ايضا وخصوصا لعناصر الصف الثالث وما يليه في الجدول الدوري وبالرغم من ان عناصر الصف الثالث لا تملك مدارات 3d مشغولة في ترتيبها الالكتروني الارضي فان مدارات 3d للفسفور، الكبريت، والكلور

الشكل (1)

الشكل (2)

منخفضة الطاقة الى حد يجعلنا نفترض انها مسئولة عن الترابط في مركبات هذه العناصر. فمثلا في PCI₅ توجد عشرة الكترونات تكافؤ متضمنة في تآصر خمس ذرات كلور الى الفسفور ومخطط التهجين مبني على ترقية الكترون 3s واحد للفسفور الى مدار  3d لينتج خمسة مدارات sp³d هجينة وتتنبأ بشكل صحيح بالتركيب الهرمي الثلاثي كما مبين في شكل (1).

في جزيئة SF₆ توجد ست اواصر متكافئة بين ذرة كبريت وست ذرات فلور وشكل الجزيئة في الفضاء مجسم ثماني منتظم كما في شكل (2) ويمكن تفسير عدد الاواصر وشكل الجزيئة في الفضاء بافتراض ترقية الكترون 3s واحد وترقية الكترون 3p واحد الى مدارين من مدارات 3d في ذرة الكبريت وهذا التهجين ينتج ستة روابط هجينة متكافئة sp³d² ومتجهة كما مبين في تركيب جزيئة SF₆.