ثنائي زنر المستعمل كمرجع reference بسيط أو متكاملة مضخم العمليات المستعملة كمضخم خط error amplifier قد لا تكون مؤهلة لتجهيز تيار كافي إلى ترانزستورات التمرير pass transistors الذي يتعين عليه توصيل تيار حمل كبير . لذا فإن توصيلة دارلينكتون Darligton الموضحة في الشكل 1 تتزايد فيها بيتا ترانزستور التمرير multiplies the pass transistor beta ، وبذا يمتد مدى السيطرة extending the control range لمضخم الخطأ . فإذا ما تم استعمال ترانزستورات موصلة بطريقة دارلينكتون يصبح من الضروري وضع مقاومة عبر وصلة القاعدة - القاذف وذلك لمنع تيار التسريب من الجامع إلى القاعدة في Q1 من أن يضخم ويدفع زوج الترانزستورات إلى حالة التوصيل turning them on . هذه المقاومات تكون مضمنة داخل غلاف نبائط الدار لينكتون والمسماة monolithic darligton device . عندما لا يتوفر ترانزستور مفرد لمناولة التيار المطلوب من مقر الفولتية، يمكن حينها زيادة إمكانية مناولة التيار عن طريق توصيل اثنان أو أكثر من ترانزستورات التمرير على التوازي. الدائرة في B الشكل 28 تبين طريقة التوصيل المقاومات عند طرف القاذف لكل ترانزستور

ضرورية لمعادلة التيارات equalize the currents.

الشكل 1... في A زوج من الترانزستورات موصل بطريقة دار لينكتون لتستعمل كعناصر تمرير في دائرة تقويم توالي. في B طريقة توصيل اثنان أو أكثر من الترانزستورات على التوازي لتمكينها من تجهيز تيار خارج كبير. المقاومات بالأوم. الدائرة في يمكن أن تستعمل لتيارات حمل من 100m إلى ، وفي B لتيارات من 6 إلى 108.

01 ME340 02-04 ترانزستور قدرة مثل 2N3055 أو 2N3772