ترانزستور الأثر المجالي

ترانزستور الأثر المجالي هو عبارة عن ترانزستور شبه موصل يتم التحكم في التيار المار خلاله بواسطة مجال كهربي. ويعرف في الوقت الحالي نوعان من هذه الترانزستورات وهما:

أ- ترانزستور الأثر المجالي ذو الوصلة (JFET)  Junction FET

ب - ترانزسور الأثر المجالي ذو البوابة المعزولة Insulated-Gate FET ويعرف كذلك يإسم ترانزستور الأثر المجالي المعدني الاكسيدي شبه الموصل (MOSFET) .

ويتميز ترانزستور الأثر المجالي عن نظيره الذي سبق التعرف عليه بالآني :

أ - يتكون التيار المار خلاله من نوع واحد فقط من حاملات الشحنة (الكترونات أو ثقوب) لذا فإنه يعرف بالترانزستور أحادي القطب Unipolar transistor تمييزاً له عن الترانزستور ثناني القطب Bipolar transistor الذي يتكون التيار المار خلاله من كلا النوعين من الحاملات.

ب - مقاومة دخل عالية جداً تصل أحياناً الى عدة عشرات ميجا أوم وأكثر مما يجعله مشابهاً في هذا الشأن للصمامات المفرغة.

ج- مستوى ضوضاء منخفض جداً بالمقارنة بالترانزستور ثناني القطب.

د- سهولة التصنيع وصغر الحجم.

ومن أهم عيوب ترانزستور الأثر المجالي هو صغر ناتج ضرب معامل الكسب في إتساع الشريحة بالمقارنة بالترانزستور ثنائي القطب.