تسمى العملية التي يتم من خلالها انبعاث الكترونات من خلال تسليط مجال كهربائي عالي الشدة على سطح المعدن بانبعاث المجال (Field emission). عندما يوضع سطح معدن قريبا من موصل ذي جهد كهربائي موجب عالي، فان المجال الكهربائي الناشئ بين السطحين يعمل على تسليط قوة جذب كهربائي على الإلكترونات الحرة الموجودة على سطح الباعث، ويكون مقدار تلك القوة متناسبة مع شدة المجال الكهربائي (E) ويعطى مقدارها بالقيمة F = eE ويكون اتجاهها باتجاه الموصل الموجب ان مقدار شدة المجال الكهربائي الناشئ فيعتمد على فرق الجهد (V) المسلط بين الموصل والباعث وكذلك على المسافة (d) الفاصلة بينهما (E = V/d). يحدث الانبعاث الإلكتروني من سطح الباعث متى ما كانت قوة الجذب الكهربائية كافية للتغلب على جهد السطح للباعث، حيث تغادر الإلكترونات الحرة سطح الباعث باتجاه الموصل كما هو موضح بالشكل التالي.

                                   الشكل يوضح  مخطط الانبعاث المجالي

ان حدوث انبعاث المجال يتطلب مجال كهربائي عالي الشدة، وعادة ما يكون بحدود المليون فولت لكل سنتمتر (E~10V/cm).

يمكن الحصول على الانبعاث المجالي في درجات حرارة أوطئ بكثير مما عليه الحال في الانبعاث الحراري، حتى انه بالإمكان الحصول عليها في درجة حرارة الغرفة ولذا يسمى انبعاث المجال أحيانا بانبعاث الكاثود البارد (cold cathode emission)

مواضيع ذات صلة

زيادة الانتقائية للدوائر ذات الإخماد الخارجي : Increasing the selectivity of Externally Quenched Circuits

تكوين وصلة pn-Junction) pn)

الآصرة التساهمية Covalent bond

الانبعاث الإلكتروني

وصلة pn في حالة الانحياز

مقوم نصف الموجة (Half-Wave Rectifier)

الموضوع معادلة ثنائي أشباه الموصلات

مضاعف فولتية نوع الموجة الكاملة Full-wave Voltage Doubler

ثنائي زنر كمقر للفولتية Zener diode Regulation

أجهزة فولتضوئية PHOTOVOLTAIC DEVICES

المقرات الخطية Linear Regulators

نظرة سريعة على الهيكل العام للمستقبل Common Receiver Architectures