عزل ثنائي اوكسيد - السيلكون
المؤلف:
الدكتور صبحي سعيد الراوي
المصدر:
فيزياء الألكترونات
الجزء والصفحة:
625
13-10-2021
2296
عزل ثنائي اوكسيد - السيلكون
يتم في هذه الطريقة احاطة كل منطقة N بطقة من ثاني وكسيد السيلكون. تكون طبقة الاساس في هذه الحالة غير مطعمة او بعبارة اخرى انها من شبه موصل نقي - انظر الشكل (1)
الشكل (1): عزل ثاني أوكسيد السيلكون
من الواضح ان هذه الطريقة في العزل تفوق الطريقة الاولى وتمتازعليها .فالعزل هنا فضل. لأن ثاني اوكسيد السيلكون يكون اكثرعزلا من وصلة ال PN المنحازة عكسيا . كذلك فان المتسعة بين منطقة N وطبقة الاساس سوف تختفي – لاختفاء الاخيرة - وبذلك يتحسن عمل الدائرة في الترد دات العالية .
وعلى الرغم من المميزات اعلاه فان هذه الطريقة تتطلب زيادة في خطوات التصنيع مما يعني زيادة في الكلفة ذلك ان الكلفة الرخيصة هي حجر الزاوية في صناعة الدوائر المتكاملة
الاكثر قراءة في الألكترونيات
اخر الاخبار
اخبار العتبة العباسية المقدسة
