تاريخ الفيزياء
علماء الفيزياء
الفيزياء الكلاسيكية
الميكانيك
الديناميكا الحرارية
الكهربائية والمغناطيسية
الكهربائية
المغناطيسية
الكهرومغناطيسية
علم البصريات
تاريخ علم البصريات
الضوء
مواضيع عامة في علم البصريات
الصوت
الفيزياء الحديثة
النظرية النسبية
النظرية النسبية الخاصة
النظرية النسبية العامة
مواضيع عامة في النظرية النسبية
ميكانيكا الكم
الفيزياء الذرية
الفيزياء الجزيئية
الفيزياء النووية
مواضيع عامة في الفيزياء النووية
النشاط الاشعاعي
فيزياء الحالة الصلبة
الموصلات
أشباه الموصلات
العوازل
مواضيع عامة في الفيزياء الصلبة
فيزياء الجوامد
الليزر
أنواع الليزر
بعض تطبيقات الليزر
مواضيع عامة في الليزر
علم الفلك
تاريخ وعلماء علم الفلك
الثقوب السوداء
المجموعة الشمسية
الشمس
كوكب عطارد
كوكب الزهرة
كوكب الأرض
كوكب المريخ
كوكب المشتري
كوكب زحل
كوكب أورانوس
كوكب نبتون
كوكب بلوتو
القمر
كواكب ومواضيع اخرى
مواضيع عامة في علم الفلك
النجوم
البلازما
الألكترونيات
خواص المادة
الطاقة البديلة
الطاقة الشمسية
مواضيع عامة في الطاقة البديلة
المد والجزر
فيزياء الجسيمات
الفيزياء والعلوم الأخرى
الفيزياء الكيميائية
الفيزياء الرياضية
الفيزياء الحيوية
الفيزياء العامة
مواضيع عامة في الفيزياء
تجارب فيزيائية
مصطلحات وتعاريف فيزيائية
وحدات القياس الفيزيائية
طرائف الفيزياء
مواضيع اخرى
الثنائي البلوري المتكامل Integrated crystal diode
المؤلف:
الدكتور صبحي سعيد الراوي
المصدر:
فيزياء الألكترونات
الجزء والصفحة:
615
11-10-2021
2865
الثنائي البلوري المتكامل Integrated crystal diode
يبين الشكل (1) الخطوات المتبعة في عملية تصنيع الثنائي بصيغة الدائرة المتكاملة على البلورة الاحادية. بعد ان يطلى سطح الاوكسيد للرقاقة بغشاء رقيق من مادة المضادات الضوئية يعرض لضوء الاشعة فوق البنفسجية من خلال الاقنعة الضوئية ويبين الشكل ( 1 أ ) بأن المضاد الضوئى والقناع استعملا وان جزءاً من كلجانب من طبقة الاوكسيد قد حفر بالحامض .
من الجدير بالذكر ان هناك نوعين من المضادات الضوئية الموجبة والسالبة في النوع الموجب يكون جزء السطح المعرض لضوء الاشعة فوق البنفسجية قابلا للحفر etching اما الجزء الذي لايتعرض للضوء فانه لايذوب بالحامض الهيدروفلوريك وبذلك يبقى هذا الجزء معزولا بوساطة الاوكسيد. اما باستعمال المضادات الضوئية السالبة فان الاجزاء
الشكل (1) طريقة تصنيع الثنائي البلوري بطريقة الدوائرالمتكاملة .
التي تتعرض للضوء هي التي تكون غير قابلة للذوبان بالحامض .
بعد ذلك توضع الرقاقة في فرن وتعرض الى ذرات قابلة ( ثلاثية التكافؤ) فتنتشرهذه الذرات في الاجزاء المحفورة دون الاجزاء التي لاتزال مغطاة بطقة الاوكسيد. وتحولها من نوع سالب الى نوع موجب-الشكل (٨ب)- وبذلك نكون قد حصلنا على جزيرة لمادة من نوع سالب n-type تحت طبقة اوكسيد السيلكون فقط.
بعد ذلك يمرر اوكسجين نقي فوق الرقاقة ( wafar ) وذلك لتغطية الاجزاء المحفورة مرة أخرى بأوكسيد السيلكون — الشكل (1ج )
تحفر فجوة في وسط طبقة الاوكسيد (بعد أن يطلى السطح بالمضاد الضوئي مرة أخرى ثم يعرض الى الضوء خلال قناع آخر) لكشف الطبقة الفوقية n وعادة ما يطلق على هذه الفجوة اوالفتحة بالشباك وبذلك يكون قد تم تحديد مهبط ( cathode ) الثنائي الشكل(1 د)
بعدها تمرر من خلال الشباك - ذرات ثلاثية التكافؤ- التى تنفذ الى الطبقة الفوقية n لتكون جزيرة من نوع موجب p-type - نطرالشكل (1ه) وبهذا بتم تشكبل وصلة ال PN فوق طبقة الاساس .
يعاد نفخ الاوكسجين فوق الرقاقة ليغطي اوكسيد السيلكون جميع سطح الرقاقة . ما الخطوة الاخيرة فتكون خاصة بترسيب المعدن ( الالمنيوم ) عند المواقع المناسبة - بعد حفرها انظرالشكل (1 و) وبهذه الطريقة نكون قد حصلنا على الثنائي المتكامل الشكل (1 و).