المميزة الإستاتيكية لترانزستور الأثر المجالي
المؤلف:
د/محمد فاروق أحمد و د/محمد خضر كاتب
المصدر:
أسس الإلكترونيات
الجزء والصفحة:
202
25-9-2021
1782
المميزة الإستاتيكية لترانزستور الأثر المجالي
يوضح شكل (1) مجموعة المنحنيات الإستاتيكية لترانزستور الأثر المجالي ذي المنبع المشترك وهي
الشكل (1)
عبارة عن العلاقة بين تيار المصب وجهد المصب- منبع عند قيم مختلفة لتحييز البوابة - منبع. ولفهم هذه العلاقة نفرض أن التحييز VGS= 0 ، وأنجهد المصب - منبع VDS= 0. عندئذ يكون التيار 0=ID وتكون القناة مفتوحة تماما. وبمجرد زيادة جهد المصب VDS يبدأ التيار ID في المرور، وتعمل القناة n كمقاومة شبه موصلة. وبزيادة الجهد VDS يزداد التيار ID. وبذلك يصبح فرق الجهد بين القناة (خاصة من ناحية المصب) والمنع ملحوظاً مما يؤدي إلى التحييز العكسي للملتقى p—n فينتج عن ذلك إنخفاض المقطع العرضي للقناة ومن ثم يصل التيار ID إلى قيمة التشع. وهكذا يلاحظ أنه فيما بعد التشبع لا يعتمد تيار المصب ID على الجهد VDS وإنما يعتمد أساساً على جهد تحييز البوابة VGS .
0
0
لا توجد تعليقات بعد
ما رأيك بالمقال : كن أول من يعلق على هذا المحتوى
الاكثر قراءة في الألكترونيات
اخر الاخبار
اخبار العتبة العباسية المقدسة
