تاريخ الفيزياء
علماء الفيزياء
الفيزياء الكلاسيكية
الميكانيك
الديناميكا الحرارية
الكهربائية والمغناطيسية
الكهربائية
المغناطيسية
الكهرومغناطيسية
علم البصريات
تاريخ علم البصريات
الضوء
مواضيع عامة في علم البصريات
الصوت
الفيزياء الحديثة
النظرية النسبية
النظرية النسبية الخاصة
النظرية النسبية العامة
مواضيع عامة في النظرية النسبية
ميكانيكا الكم
الفيزياء الذرية
الفيزياء الجزيئية
الفيزياء النووية
مواضيع عامة في الفيزياء النووية
النشاط الاشعاعي
فيزياء الحالة الصلبة
الموصلات
أشباه الموصلات
العوازل
مواضيع عامة في الفيزياء الصلبة
فيزياء الجوامد
الليزر
أنواع الليزر
بعض تطبيقات الليزر
مواضيع عامة في الليزر
علم الفلك
تاريخ وعلماء علم الفلك
الثقوب السوداء
المجموعة الشمسية
الشمس
كوكب عطارد
كوكب الزهرة
كوكب الأرض
كوكب المريخ
كوكب المشتري
كوكب زحل
كوكب أورانوس
كوكب نبتون
كوكب بلوتو
القمر
كواكب ومواضيع اخرى
مواضيع عامة في علم الفلك
النجوم
البلازما
الألكترونيات
خواص المادة
الطاقة البديلة
الطاقة الشمسية
مواضيع عامة في الطاقة البديلة
المد والجزر
فيزياء الجسيمات
الفيزياء والعلوم الأخرى
الفيزياء الكيميائية
الفيزياء الرياضية
الفيزياء الحيوية
الفيزياء العامة
مواضيع عامة في الفيزياء
تجارب فيزيائية
مصطلحات وتعاريف فيزيائية
وحدات القياس الفيزيائية
طرائف الفيزياء
مواضيع اخرى
Junction capacitance
المؤلف:
Stan Gibilisco
المصدر:
Teach Yourself Electricity and Electronics
الجزء والصفحة:
365
5-5-2021
2024
Junction capacitance
Some P-N junctions can alternate between conduction (in forward bias) and nonconduction (in reverse bias) millions or billions of times per second. Other junctions are slower. The main limiting factor is the capacitance at the P-N junction during conditions of reverse bias. The amount of capacitance depends on several factors, including the operating voltage, the type of semiconductor material, and the cross-sectional area of the P-N junction.
By examining Fig. 1B, you should notice that the depletion region, sandwiched between two semiconducting sections, resembles the dielectric of a capacitor. In fact, the similarity is such that a reverse-biased P-N junction really is a capacitor. Some semiconductor components are made with this property specifically in mind.
The junction capacitance can be varied by changing the reverse-bias voltage, because this voltage affects the width of the depletion region. The greater the reverse voltage, the wider the depletion region gets, and the smaller the capacitance becomes.
Fig. 1: At A, forward bias of a P-N junction; at B, reverse bias. Electrons are shown as small dots, and holes are shown as open circles.
الاكثر قراءة في الألكترونيات
اخر الاخبار
اخبار العتبة العباسية المقدسة

الآخبار الصحية
