علم الكيمياء
تاريخ الكيمياء والعلماء المشاهير
التحاضير والتجارب الكيميائية
المخاطر والوقاية في الكيمياء
اخرى
مقالات متنوعة في علم الكيمياء
كيمياء عامة
الكيمياء التحليلية
مواضيع عامة في الكيمياء التحليلية
التحليل النوعي والكمي
التحليل الآلي (الطيفي)
طرق الفصل والتنقية
الكيمياء الحياتية
مواضيع عامة في الكيمياء الحياتية
الكاربوهيدرات
الاحماض الامينية والبروتينات
الانزيمات
الدهون
الاحماض النووية
الفيتامينات والمرافقات الانزيمية
الهرمونات
الكيمياء العضوية
مواضيع عامة في الكيمياء العضوية
الهايدروكاربونات
المركبات الوسطية وميكانيكيات التفاعلات العضوية
التشخيص العضوي
تجارب وتفاعلات في الكيمياء العضوية
الكيمياء الفيزيائية
مواضيع عامة في الكيمياء الفيزيائية
الكيمياء الحرارية
حركية التفاعلات الكيميائية
الكيمياء الكهربائية
الكيمياء اللاعضوية
مواضيع عامة في الكيمياء اللاعضوية
الجدول الدوري وخواص العناصر
نظريات التآصر الكيميائي
كيمياء العناصر الانتقالية ومركباتها المعقدة
مواضيع اخرى في الكيمياء
كيمياء النانو
الكيمياء السريرية
الكيمياء الطبية والدوائية
كيمياء الاغذية والنواتج الطبيعية
الكيمياء الجنائية
الكيمياء الصناعية
البترو كيمياويات
الكيمياء الخضراء
كيمياء البيئة
كيمياء البوليمرات
مواضيع عامة في الكيمياء الصناعية
الكيمياء الاشعاعية والنووية
Industrial applications of metal nitrides
المؤلف: CATHERINE E. HOUSECROFT AND ALAN G. SHARPE
المصدر: Inorganic Chemistry
الجزء والصفحة: p 402
19-2-2018
1386
Industrial applications of metal nitrides
Nitrides of the d-block metals are hard, are resistant to wear and chemical attack including oxidation, and have very high melting points. These properties render nitrides such as TiN, ZrN and HfN invaluable for protecting high-speed cutting tools. The applied coatings are extremely thin (typically ≤ 10 µm), but nonetheless significantly prolong the lifetimes of tools that operate under the toughest of work conditions. Nitride coatings can be applied using the technique of chemical vapour deposition or by forming a surface layer of Fe3N or Fe4 N by reacting the prefabricated steel tool with N2. Layers of TiN, ZrN, HfN or TaN are applied as diffusion barriers in semiconducting devices. The barrier layer (≈100nm thick) is fabricated between the semiconducting material (e.g. GaAs or Si) and the protective metallic (e.g. Au or Ni) coating, and prevents diffusion of metal atoms into the GaAs or Si device